1、采用32.768Khz的原因

32.768Khz頻率在電路設(shè)計中被廣泛采用，主要是因為其特殊的數(shù)學(xué)特性。這個頻率值經(jīng)過簡單的分頻處理，可以方便地得到各種常用的時間基準(zhǔn)。例如，通過合適的電路對其進(jìn)行15次二分頻，可以精確地產(chǎn)生1Hz的信號，這對于以秒為單位的計時功能實現(xiàn)非常關(guān)鍵。而且，該頻率的晶體振蕩器具有較高的穩(wěn)定性，能夠在不同的環(huán)境條件下保持相對穩(wěn)定的輸出，從而為電路提供準(zhǔn)確可靠的時鐘信號，滿足諸如實時時鐘（RTC）等對時間精度要求較高的應(yīng)用場景。

32.768Khz外接負(fù)載的選擇

外接負(fù)載對于32.768Khz晶體振蕩器的性能有著顯著影響。選擇合適的負(fù)載電容至關(guān)重要。負(fù)載電容值需要根據(jù)晶體的規(guī)格參數(shù)和電路的具體要求來確定。如果負(fù)載電容選擇不當(dāng)，可能會導(dǎo)致晶體振蕩器的頻率偏移，進(jìn)而影響整個電路的計時準(zhǔn)確性。一般來說，常見的負(fù)載電容值在7pF 、9PF、12.5pF，在設(shè)計電路時，需要考慮與之相連的芯片引腳內(nèi)部電容，通過計算來選擇合適的外部負(fù)載電容，以保證晶體振蕩器工作在其標(biāo)稱頻率附近。

以下是常見負(fù)載對應(yīng)的外接電容值：

實際情況還需進(jìn)行匹配測試后，推薦最佳外接電容值。

3、32.768Khz外接的電路

如圖所示是晶振的整體電路。R1為反相器invl提供偏置,使其中的MOS管工作在飽和區(qū)以獲得較大的增益;C1,C2和雜散電容一起構(gòu)成晶體的電容負(fù)載, 同時它們和反相器invl一起可以等效為一負(fù)阻, 為晶體提供其振蕩所需要的能量;R2用來降低對晶體的驅(qū)動能量, 以防止晶體振壞或出現(xiàn)異常; 反相器inv2對invl的輸出波形整形并驅(qū)動負(fù)載。